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BSS138K 参数 Datasheet PDF下载

BSS138K图片预览
型号: BSS138K
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内容描述: NCE N沟道增强型功率MOSFET [NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 293 K
品牌: NCEPOWER [ WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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无铅产品
http://www.ncepower.com
BSS138K
NCE N沟道
增强型功率MOSFET
一般特点
V
DS
= 50V ,我
D
= 0.22A
R
DS ( ON)
< 3Ω @ V
GS
=4.5V
R
DS ( ON)
< @ 2Ω V
GS
=10V
ESD额定值: 2500V HBM
高功率和电流移交能力
被收购无铅产品
表面贴装封装
原理图
应用
- 直接
逻辑电平接口: TTL / CMOS
●驱动程序:
继电器,螺线管,照明灯,锤子,显示器,
回忆,晶体管等。
•电池
供电系统
.Solid状态
继电器
标志和引脚分配
SOT- 23顶视图
包装标志和订购信息
器件标识
138K
设备
BSS138K
器件封装
SOT-23
带尺寸
Ø180mm
胶带宽度
8 mm
QUANTITY
3000台
绝对最大额定值( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
V
GS
漏电流连续
I
D
漏电流脉冲(注1 )
I
DM
最大功率耗散
P
D
工作结存储温度范围
T
J
,T
英镑
热特性
热阻,结到环境(注2 )
R
θJA
极限
50
±20
0.22
0.88
0.35
-55到150
单位
V
V
A
A
W
350
/W
电气特性( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
条件
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
V
GS
= 0V我
D
=250μA
V
DS
=50V,V
GS
=0V
50
典型值
最大
单位
V
1
μA
无锡NCE功率半导体有限公司
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v1.0