BSS138K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS138K
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内容描述：	NCE N沟道增强型功率MOSFET [NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 293 K
品牌：	NCEPOWER [ WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

无铅产品

http://www.ncepower.com

门体漏电流

基本特征（注3 ）

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向跨导

动态特性（注4 ）

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性（注4 ）

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

漏源二极管的特性

二极管的正向电压（注3 ）

二极管的正向电流（注2 ）

=0V,I

=0.22A

D（上）

D（关闭）

=25V,I

=0.2A,

=10V

=30V,I

=0.22A

=10V,R

根

=6Ω

LSS

OSS

RSS

=25V,V

=0V,

F=1.0MHz

GS （ TH）

DS （ ON）

=250μA

= 4.5V ，我

=0.2A

= 10V ，我

=0.22A

=10V,I

=0.2A

0.2

0.6

GSS

=±20V,V

=0V

BSS138K

±10

0.9

1.2

1.1

1.2

Ω

2.4

1.3

0.22

注意事项：

重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。

表面安装在FR4板，T

≤

10秒。

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%.

通过设计保证，不受生产

无锡NCE功率半导体有限公司

第2页

v1.0

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