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2SC3585-T1B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC3585-T1B
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内容描述: 微波低噪声放大器NPN硅外延TRANSISOR [MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR]
分类和应用: 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 105 K
品牌: NEC [ NEC ]
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2SC3585
典型特征(T
A
= 25

C)
总功耗对比
环境温度
3
P
T
- 总功率耗散-W
自由的空气
C
re
-Feed回电容pF的
200
F = 1.0 MHz的
2
反馈电容与
集电极 - 基极电压
1
0.7
0.5
0.3
0.2
100
0
50
100
150
0.1
1
T
A
- 环境温度 - ℃,
2
3
5
7
10
V
CB
-collector基极电压-V
插入增益与
集电极电流
10
V
CE
= 6 V
8
V
CE
= 6 V
F = 2.0 GHz的
|S
21e
|
2
-Insertion增益分贝
20
30
直流电流增益主场迎战
集电极电流
200
100
h
FE
-DC电流增益
6
50
4
20
2
10
0.5
1
5
10
50
I
C
-collector电流毫安
增益带宽积主场迎战
集电极电流
30
V
CE
= 6 V
f
T
- 获得带宽积兆赫
20
MAG-最大可用增益分贝
|S
21e
|
2
-Insertion增益-dB
0
1
2
3
5
7
10
I
C
-collector电流毫安
20
30
插入增益,最大可用
增益与频率
20
V
CE
= 6 V
I
C
= 10毫安
16
MAG
|S
21e
|
2
12
10
7
5
3
2
8
4
1
2
3
5
7
10
I
C
-collector电流毫安
20
30
0
0.1
0.2
0.3
0.5 7.0 1.0
F-频率GHz的
2.0 3.0
2