2SK2515 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK2515
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	切换N沟道功率MOS FET工业用 [SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	8 页 / 122 K
品牌：	NEC [ NEC ]

数据表

MOS场效应

2SK2515

开关

N沟道功率MOS FET

工业用

描述

该2SK2515是N沟道MOS场效应晶体管设计的

对于高电流的开关应用。

包装尺寸

（以毫米）

4.7 MAX 。

1.5

7.0

特点

•

超低导通电阻

DS （ ON） 1

= 9毫欧（V

= 10 V，I

= 25 A)

DS （ ON） 2

= 14毫欧（V

= 4 V，I

= 25 A)

1.0

15.7最大。

3.2±0.2

20.0±0.2

6.0

•

低C

国际空间站

= 3 400 pF的典型。

•

内置G -S保护二极管

绝对最大额定值（T

= 25 ˚C)

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲） *

总功率耗散（T

= 25 ˚C)

总功率耗散（T

= 25 ˚C)

通道温度

储存温度

≤

S，占空比

≤

1 %

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

英镑

±20

±50

±200

150

3.0

150

˚C

19分钟。

3.0±0.2

2.2±0.2

5.45

1.0±0.2

5.45

4.5±0.2

0.6±0.1

2.8±0.1

1.门

2.漏

3.源

4.散热片（漏）

MP-88

漏

-55〜 + 150℃

体

二极管

门

栅极保护

二极管

来源

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管

器作为抗ESD的保护。

当该装置是

实际使用时，一个额外的保护电路是外部重新

quired如果电压超过额定电压可施加

给该设备。

一号文件D10301EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期1995年P月

日本印刷

1995

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案