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2SK2515 参数 Datasheet PDF下载

2SK2515图片预览
型号: 2SK2515
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内容描述: 切换N沟道功率MOS FET工业用 [SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 122 K
品牌: NEC [ NEC ]
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2SK2515
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
20
100
源极到漏极二极管
正向电压
脉冲
15
V
GS
= 4 V
10
4V
1
V
GS
= 0
10
V
GS
= 10 V
5
I
D
= 25 A
–50
0
50
100
150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
0
T
ch
- 通道温度 - C
电容与漏极TO
源极电压
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
开关特性
1 000
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
t
D(关闭)
100 000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
t
f
100
t
r
t
D(上)
10 000
C
国际空间站
1 000
C
RSS
C
OSS
10
100
0.1
1
10
100
1.0
0.1
V
DD
= 30 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
1.0
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
反向恢复时间对比
漏电流
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
的di / dt = 100A /
µ
s
V
GS
= 0
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
80
动态输入/输出特性
V
DD
= 48 V
I
D
= 50 A
16
14
12
10
V
DS
40
V
GS
8
6
20
4
2
0
50
100
150
0
200
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
60
100
10
1.0
0.1
1.0
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
5