2SK3057 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK3057
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内容描述：	切换N沟道功率MOS FET工业用 [SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	8 页 / 65 K
品牌：	NEC [ NEC ]

2SK3057

单雪崩能量对比

感性负载

100

160

140

= 22.5 A

单雪崩能量

降额因子

= 30V

= 25Ω

= 20 V

→

0 V

≤

22.5A

- 单雪崩能量 - 兆焦耳

节能降额因子 - ％

10 m

120

100

0.6

1.0

= 25

Ω

= 30 V

= 20 V

→

0.1起始物为

= 25

°C

100

125

150

L - 感性负载 - ^ h

起始物为

- 起始通道温度 -

˚C

封装图（单位：mm ）

隔离TO- 220 （ MP- 45F ）

10.0

0.3

3.2

0.2

4.5

0.2

2.7

0.2

等效电路

15.0

0.3

0.1

12.0

0.2

漏极（四）

0.2

13.5

分钟。

栅极（G ）

门

保护

二极管

源极（S ）

体

二极管

0.7

0.1

2.54

1.3

0.2

2.5

0.1

0.65

0.1

1.5

0.2

2.54

1.Gate

2.Drain

3.Source

1 2 3

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的

超过额定电压可以施加到该装置。

数据表D13096EJ1V0DS00

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