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NE32584C-T1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE32584C-T1
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内容描述: 超低噪声赝HJ FET [ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 57 K
品牌: NEC [ NEC ]
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NE32584C
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GRF
T
CH
T
英镑
P
T
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
总功耗
单位
V
V
mA
µA
°C
°C
mW
评级
4.0
-3.0
I
DSS
100
150
-65到+150
165
典型的噪声参数
(T
A
= 25°C)
V
DS
= 2 V,I
D
= 10毫安
频率。
(千兆赫)
2
4
6
8
10
12
14
16
18
NF
选择
( dB)的
0.29
0.30
0.33
0.36
0.40
0.45
0.54
0.68
0.85
G
A
( dB)的
20.0
18.3
16.5
15.0
13.6
12.5
12.0
11.8
11.5
Γ
选择
MAG
0.86
0.76
0.69
0.63
0.59
0.54
0.48
0.40
0.31
22
45
70
96
122
147
171
-165
-144
Rn/50
0.27
0.25
0.18
0.11
0.08
0.04
0.04
0.05
0.06
注意:
1.操作超过这些参数可能导致任一
永久性损坏。
典型性能曲线
200
(T
A
= 25°C)
漏电流与
漏源极电压
100
总功耗对比
环境温度
总功率耗散,P
T
( mW)的
漏电流,我
D
(MA )
150
80
V
GS
= 0 V
60
-0.2 V
40
-0.4 V
20
100
50
-0.6 V
-0.8 V
0
50
100
150
200
0
1.5
3.0
环境温度,T
A
(°C)
漏源极电压,V
DS
(V)
噪声系数和相关的增益
与频率的关系
24
V
DS
= 2 V
I
D
= 10毫安
噪声系数和相关的增益
与漏电流
V
DS
= 2 V
F = 12 GHz的
14
G
A
相关的增益,G
A
( dB)的
噪声系数NF ( dB)的
噪声系数NF ( dB)的
G
A
20
12
2.0
1.5
1.0
0.5
11
10
16
1.0
12
0.5
NF
0
1
2
4
6
8 10
14
20
30
8
NF
4
0
10
20
30
频率f ( GHz)的
漏电流,我
D
(MA )
相关的增益,G
A
( dB)的
13