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    PDM505HC 参数 Datasheet PDF下载

    PDM505HC图片预览
    型号： PDM505HC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET模块双50A / 500V [MOSFET MODULE Dual 50A/500V]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 115 K
    品牌： NIEC [ NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号PDM505HC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PDM505HC的Datasheet PDF文件第2页  
    图。 1典型的输出特性
    T
    C
    = 25I 250秒脉冲测试
    图。 2典型的漏源导通电压
    图。 2
    与栅源电压
    图。 3典型的漏源电压上
    图。 3
    - 结温
    80
    8
    漏极至源极电压V
    DS
    （上） （V）的
    T
    C
    = 25I 250秒脉冲测试
    16
    漏极至源极电压V
    DS
    （上） （V）的
    V
    GS
    = 10V 250秒脉冲测试
    V
    GS
    =10V
    8V
    I
    D
    =50A
    I
    D
    =50A
    漏电流I
    D
    (A)
    60
    6V
    6
    12
    40
    4
    25A
    15A
    8
    25A
    20
    5V
    2
    4
    15A
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    12
    0
    0
    4
    8
    12
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    16
    0
    -40
    0
    40
    80
    120
    结温度T
    j
    ( )
    160
    图。 4典型电容
    图。 4
    与漏源电压
    图。 5典型栅极电荷
    图。五
    与栅源电压
    V
    GS
    = 0V F = 1MHz的
    图。 6典型的开关时间
    图。 6
    与系列门阻抗
    I
    D
    =35A
    V
    DD
    = 100V
    250V
    400V
    12
    16
    5
    I
    D
    = 25A V
    DD
    = 250V牛逼
    C
    = 25I 80 s脉冲测试
    t
    d
    （关闭）
    10
    电容C （ NF）
    C
    国际空间站
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    2
    切换时间T（ S）
    12
    t
    r
    t
    d
    （上）
    t
    f
    8
    1
    6
    8
    0.5
    4
    0.2
    4
    2
    C
    OSS
    0.1
    0
    0.05
    0
    1
    2
    5
    10
    20
    50
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    100
    0
    100
    200
    300
    400
    500
    总闸门CHRAGE Q
    g
    （ NC ）
    600
    2
    5
    10
    20
    50
    100
    系列栅极阻抗ř
    G
    ( )
    200
    图。 7典型的开关时间
    图。 7
    与漏电流
    图。 8典型的源漏二极管正向
    图。 8
    特征
    图。 9典型的反向恢复特性
    250秒脉冲测试
    I
    S
    =50A
    I
    S
    =25A
    T
    j
    =125ı
    1000
    R
    G
    =5
    V
    DD
    = 250V牛逼
    C
    = 25I 80 s脉冲测试
    120
    500
    100
    源电流我
    S
    (A)
    T
    j
    =125ı
    反向恢复时间吨
    rr
    （纳秒）
    反向电流I
    R
    (A)
    500
    开关时间t（ NS ）
    200
    t
    rr
    200
    t
    d
    （关闭）
    80
    100
    100
    t
    r
    t
    f
    t
    d
    （上）
    60
    T
    j
    =25ı
    50
    50
    40
    20
    I
    R
    20
    10
    20
    10
    1
    2
    5
    10
    20
    漏电流I
    D
    (A)
    50
    100
    0
    0
    0.3
    0.6
    0.9
    1.2
    1.5
    源极到漏极电压V
    SD
    (V)
    归一化瞬时
    热阻抗
    [r
    日（J -C ）
    / R
    日（J -C ）
    ]
    2
    1
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    1.8
    5
    0
    100
    200
    300
    400
    -dis / DT （ A / S）
    500
    600
    图。 10最大安全工作区
    T
    C
    = 25I牛逼
    j
    = 150ıMAX单脉冲
    10 s
    图。 11-1
    归一化瞬态热
    阻抗（MOSFET）
    200
    100
    50
    漏电流I
    D
    (A)
    100 s
    20
    10
    5
    2
    1
    0.5
    0.2
    DC
    1ms
    在这一领域
    由R有限公司
    DS
    （上）
    每单位基础
    R
    日（J -C ）
    =0.36ı/W
    1次脉冲
    0.01
    -5
    10
    10
    -4
    10
    -3
    10
    -2
    10
    -1
    脉冲持续时间T（ S）
    1
    10
    10ms
    归一化瞬时
    热阻抗
    [r
    日（J -C ）
    / R
    日（J -C ）
    ]
    图。 11-2
    归一化瞬态热
    阻抗（二极管）
    2
    1
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    -5
    10
    每单位基础
    R
    日（J -C ）
    =2.0ı/W
    1次脉冲
    1
    2
    5
    10 20
    50 100 200 500 1000
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    10
    -4
    10
    -3
    10
    -2
    10
    -1
    脉冲持续时间T（ S）
    1
    10
    - 311 -

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