绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
输入电压
连续
瞬态（T
≤
100毫秒）
内部功率耗散（注2 ）
最高结温
存储温度范围
无铅焊接温度
的TO-220 （10秒）
26V
60V
内部限制
150˚C
-65 ° C至+ 150°C
260˚C
的TO- 263 （10秒）
SOT- 223 （气相， 60秒）
SOT-223 （红外线， 15秒）
ESD易感性（注3 ）
230˚C
215˚C
220˚C
2千伏
工作条件
（注1 ）
温度范围（注2 ）
LM2937ES ， LM2937ET
LM2937IMP
输入电压范围
−40˚C
≤
T
A
≤
125˚C
−40˚C
≤
T
A
≤
85˚C
4.75V至26V
电气特性
（注4 ）
V
IN
= V
喃
+ 5V ，我
OUTMAX
= 500毫安的TO- 220和TO- 263封装，我
OUTMAX
= 400毫安为SOT- 223封装，C
OUT
= 10 F ，除非另有说明。
黑体字限额适用的表示在整个工作温度范围内，
设备，
所有其他规格为T
A
= T
J
= 25˚C.
输出电压（V
OUT
)
参数
输出电压
条件
5毫安
≤
I
OUT
≤
I
OUTMAX
2.5
典型值
2.5V
极限
2.42
2.38
2.56
2.62
线路调整（注5 ）
负载调整率
静态电流
4.75V
≤
V
IN
≤
26V,
I
OUT
= 5毫安
5毫安
≤
I
OUT
≤
I
OUTMAX
7V
≤
V
IN
≤
26V,
I
OUT
= 5毫安
V
IN
= (V
OUT
+ 5V),
I
OUT
= I
OUTMAX
V
IN
= 5V ，我
OUT
= I
OUTMAX
输出噪声
电压
长期稳定性
短路电流
高峰线路瞬态
电压
最大工作
输入电压
反向DC
输入电压
反向瞬态
输入电压
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
其额定工作条件之外。
注2 ：
在任何环境温度下的最大允许功耗为：P
最大
= (125 − T
A
)/θ
JA
，其中， 125是最大结温为OP-
关合作，T
A
是在环境温度下，并
θ
JA
是结到环境的热阻。如果超过该功耗，模具温度会超过125℃
和电气规范并不适用。如果芯片温度超过150℃时，稳压器将进入热关断。结点到环境的热
阻力
θ
JA
是65°C / W ，对于TO-220封装，对于TO - 263封装73C /瓦，而对于SOT- 223封装174C /瓦。当与散热器使用时，
θ
JA
为
该器件的结到外壳热阻之和
θ
JC
3℃/ W和散热器外壳到环境的热阻。如果TO- 263和SOT- 223封装的
所用的耐热性可以通过增加计算机可以减少电路板面积铜热连接到封装（见应用提示的更多信息
在散热） 。
注3 ：
ESD额定值是基于人体模型， 100pF的通过1.5 kΩ的排出。
注4 ：
标准被定在T
J
= 25 ，代表最可能的参数指标。
注5 ：
要求这些监管机构的正确偏置的最小输入电压为4.75V 。低于这个水平的产出会掉下来调节。这种效果是不
正常脱落的特点，其输出掉下来调节由于PNP旁路晶体管进入饱和状态。如果最坏的情况下有效的输入值
到输出电压差，需要在说明书中，该值应为2.37V最大为LM2937-2.5和1.6V最大为LM2937-3.3 。
3.3V
典型值
3.3
极限
3.20
3.14
3.40
3.46
9.9
3.3
2
10
66
99
13.2
0.6
60
26
1.0
75
0.6
60
26
−30
−75
−15
−50
33
33
10
20
100125
单位
V（分钟）
V（分钟）
V（最大值）
V（最大值）
毫伏（最大）
毫伏（最大）
毫安（最大）
毫安（最大）
毫安（最大）
μVRMS
mV
A（分钟）
V（分钟）
V（分钟）
V（分钟）
V（分钟）
7.5
2.5
2
10
66
75
10
1.0
75
25
25
10
20
100125
10赫兹， 100千赫，
I
OUT
= 5毫安
1000小时。
t
f
＆ LT ;
100毫秒，R
L
= 100Ω
V
OUT
≥
-0.6V ，R
L
= 100Ω
t
r
＆ LT ;
1毫秒，R
L
= 100Ω
−30
−75
−15
−50
3
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
