NTE2114
集成电路
MOS ，静态4K的RAM ， 300ns的
描述：
该NTE2114 1024字的4位的静态随机存取存储器使用N沟道硅制成
门技术。所有内部电路都完全静态的，因此不需要时钟或刷新为
操作。数据被非破坏性读出，并且具有相同的极性的输入数据。 COM的
纹输入/设置输出管脚。
独立片选输入（ CS ）允许轻松扩展内存通过OR-绑单个设备
到一个数据总线。
特点
D
所有输入和输出直接TTL兼容
D
静态操作：无时钟或刷新要求
D
低功耗：为225mW典型值
D
高速：低至300ns的访问时间
D
三态输出的总线接口
D
常见的数据输入和数据输出引脚
D
单5V电源
D
标准的18引脚DIP封装
绝对最大额定值：
电压的任何引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7V
功耗，P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
焊接温度（焊接时， 10秒） ，T
L
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C
推荐工作条件：
参数
电源电压
环境温度
符号
V
CC
T
A
测试条件
民
4.75
0
最大
5.25
+70
单位
V
°C
NTE [ NTE ELECTRONICS ]
