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    NTE2114 参数 Datasheet PDF下载

    NTE2114图片预览
    型号： NTE2114
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 集成电路MOS ，静态4K的RAM ， 300ns的 [Integrated Circuit MOS, Static 4K RAM, 300ns]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 4 页 / 32 K
    品牌： NTE [ NTE ELECTRONICS ]
     浏览型号NTE2114的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NTE2114的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTE2114的Datasheet PDF文件第4页  
    事实表：
    CS
    H
    L
    L
    L
    WE
    X
    L
    L
    H
    I / O
    高阻
    H
    L
    D
    OUT
    模式
    未选择
    写1
    写0
    读
    功能描述：
    两个引脚控制NTE2114的操作。片选（ CS）允许写入和读取操作
    和控制三态数据输出缓冲器。写使能（ WE）选择READ之间
    和WRITE模式，并控制输出三态。事实表详细列出了美国亲
    由CS和WE控制的组合缩小一次。
    在读周期的时序，我们保持高。独立的CS ，在地址码的原因的任何变化
    新的数据被取出，并提请输出缓冲器中。 CS必须为低，但是，对于输出缓冲区
    被使能，并且将数据传输到输出引脚。
    地址访问时间t
    A
    ，需要您的地址变更时，在输出产生的新数据
    销，假设CS使之前的数据到达输出缓冲器中。片选到输出延迟，
    t
    CO
    ，需要CS的时间，使输出缓冲和传输之前获取的数据的
    输出引脚。操作与CS持续保持低是允许的。
    只发生在这两个时间CS写作和WE低。最小记录脉冲宽度，叔
    WP
    ，是指
    这同时较低的区域。数据建立时间和保持时间，测量相对于任何
    控制第一上升。连续写操作可以与CS继续保持低电平进行。 WE
    然后用于终止地址变更的写操作。另外，我们也可以保持低
    用于地址变更的写中断连续写入和CS 。
    在任何情况下，无论是我们还是CS （或两者）必须在地址转换为高，以防止错误
    写。
    引脚连接图
    A6
    1
    A5
    2
    A4
    3
    A3
    4
    A0
    5
    A1
    6
    A2
    7
    CS
    8
    GND
    9
    18
    V
    CC
    17
    A7
    16
    A8
    15
    A9
    14
    I / O 1
    13
    I / O 2
    12
    I / O 3
    11
    I / O 4
    10
    WE

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