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NTE2395 参数 Datasheet PDF下载

NTE2395图片预览
型号: NTE2395
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内容描述: MOSFET N-CH ,增强型高速开关 [MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
文件页数/大小: 3 页 / 31 K
品牌: NTE [ NTE ELECTRONICS ]
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电气特性:
(T
J
= + 25°C ,除非另有规定)
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
符号
V
( BR ) DSS
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
60
2.0
15
V
DD
= 30V ,我
D
= 51A ,R
G
= 9.1Ω,
R
D
= 0.55Ω ,注5
铅之间, 0.250英寸(6.0)从毫米
封装和裸片联络中心
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
典型值
0.060
14
110
45
92
4.5
7.5
1900
920
170
最大
0.028
4.0
25
250
100
–100
67
18
25
单位
V
V /°C的
V
姆欧
µA
µA
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
pF
pF
pF
∆V
( BR ) DSS
引用到+ 25 ° C,I
D
= 1毫安
∆T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10V ,我
D
= 31A ,注5
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
V
DS
= 25V ,我
D
= 31A ,注5
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ,T
J
= +125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= –20V
I
D
= 51A ,V
DS
= 48V, V
GS
= 10V,
注5
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( “米勒” )费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输Capaticance
源极 - 漏极额定值和特性:
参数
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注1
注2
T
J
= + 25 ° C,I
S
= 51A ,V
GS
= 0V,
注5
T
J
= + 25 ° C,I
F
= 51A,
的di / dt = 100A / μs的,注5
测试条件
典型值
120
0.53
最大
50
200
2.5
180
0.80
单位
A
A
V
ns
µC
固有的导通时间是neglegible (开启用L为主
S
+L
D
)
注意事项1.电流限制由包, (模具电流= 51A ) 。
注2:重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
注5.脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.