欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

M29W800DB45M6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W800DB45M6E图片预览
型号: M29W800DB45M6E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 8兆位( 1兆位×8或512千位×16 ,引导块) 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 52 页 / 1105 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
 浏览型号M29W800DB45M6E的Datasheet PDF文件第28页浏览型号M29W800DB45M6E的Datasheet PDF文件第29页浏览型号M29W800DB45M6E的Datasheet PDF文件第30页浏览型号M29W800DB45M6E的Datasheet PDF文件第31页浏览型号M29W800DB45M6E的Datasheet PDF文件第33页浏览型号M29W800DB45M6E的Datasheet PDF文件第34页浏览型号M29W800DB45M6E的Datasheet PDF文件第35页浏览型号M29W800DB45M6E的Datasheet PDF文件第36页  
DC and AC parameters
Figure 13. Write AC waveforms, chip enable controlled
tAVAV
A0-A18/
A–1
VALID
tELAX
tAVEL
W
tWLEL
G
tGHEL
E
tELEH
M29W800DT, M29W800DB
tEHWH
tEHGL
tEHEL
tDVEH
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
VALID
tEHDX
VCC
tVCHWL
RB
tEHRL
AI05450
Table 14.
Symbol
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
EHWH
t
EHEL
t
AVEL
t
ELAX
t
GHEL
t
EHGL
t
EHRL (1)
t
VCHWL
Write AC characteristics, chip enable controlled
M29W800D
Alt
t
WC
t
WS
t
CP
t
DS
t
DH
t
WH
t
CPH
t
AS
t
AH
Parameter
45 ns
Address Valid to Next Address Valid
Write Enable Low to Chip Enable Low
Chip Enable Low to Chip Enable High
Input Valid to Chip Enable High
Chip Enable High to Input Transition
Chip Enable High to Write Enable High
Chip Enable High to Chip Enable Low
Address Valid to Chip Enable Low
Chip Enable Low to Address Transition
Output Enable High Chip Enable Low
t
OEH
t
BUSY
t
VCS
Chip Enable High to Output Enable Low
Program/Erase Valid to RB Low
V
CC
High to Write Enable Low
Min
Min
Min
Min
Min
Min
Min
Min
Min
Min
Min
Max
Min
45
0
30
25
0
0
30
0
40
0
0
30
50
70 ns
70
0
45
45
0
0
30
0
45
0
0
30
50
90 ns
90
0
50
50
0
0
30
0
50
0
0
35
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
Unit
1. Sampled only, not 100% tested.
32/52