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    M29W800DB45ZE1F 参数 Datasheet PDF下载

    M29W800DB45ZE1F图片预览
    型号： M29W800DB45ZE1F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8兆位（ 1兆位×8或512千位×16 ，引导块） 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路
    文件页数/大小： 52 页 / 1105 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第11页浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第12页浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第13页浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第15页浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第16页浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第17页浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第18页  
    Signal descriptions
    M29W800DT, M29W800DB
    A 0.1 µF capacitor should be connected between the V
    CC
    supply voltage pin and the V
    SS
    ground pin to decouple the current surges from the power supply. The PCB track widths
    must be sufficient to carry the currents required during program and erase operations, I
    CC3
    .
    2.12
    V
    SS
    ground
    The V
    SS
    ground is the reference for all voltage measurements.
    14/52

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