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NAND01GR3B2BZA6E 参数 Datasheet PDF下载

NAND01GR3B2BZA6E图片预览
型号: NAND01GR3B2BZA6E
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内容描述: 1千兆位, 2千兆位, 2112字节/ 1056字的页面, 1.8 / 3V , NAND快闪存储器 [1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 60 页 / 1343 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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DC and AC parameters
Figure 29. Program/erase enable waveforms
NAND01G-B2B, NAND02G-B2C
W
tVHWH
WP
RB
I/O
80h
10h
ai12477
Figure 30. Program/erase disable waveforms
W
tVLWH
WP
High
RB
I/O
80h
10h
ai12478
11.1
Ready/Busy signal electrical characteristics
and
show the electrical characteristics for the Ready/Busy
signal. The value required for the resistor R
P
can be calculated using the following equation:
(
V
)
DDmax V OLmax
R P min
= -------------------------------------------------------------
I OL
+
I L
So,
1.85V
R P min
(
1.8V
)
= --------------------------
-
3mA
+
I L
3.2V
R P min
(
3V
)
= --------------------------
-
8mA
+
I L
where I
L
is the sum of the input currents of all the devices tied to the Ready/Busy signal. R
P
max is determined by the maximum value of t
r
.
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