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    NAND01GR3B2BZA6E 参数 Datasheet PDF下载

    NAND01GR3B2BZA6E图片预览
    型号： NAND01GR3B2BZA6E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1千兆位， 2千兆位， 2112字节/ 1056字的页面， 1.8 / 3V ， NAND快闪存储器 [1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路
    文件页数/大小： 60 页 / 1343 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号NAND01GR3B2BZA6E的Datasheet PDF文件第45页浏览型号NAND01GR3B2BZA6E的Datasheet PDF文件第46页浏览型号NAND01GR3B2BZA6E的Datasheet PDF文件第47页浏览型号NAND01GR3B2BZA6E的Datasheet PDF文件第48页浏览型号NAND01GR3B2BZA6E的Datasheet PDF文件第50页浏览型号NAND01GR3B2BZA6E的Datasheet PDF文件第51页浏览型号NAND01GR3B2BZA6E的Datasheet PDF文件第52页浏览型号NAND01GR3B2BZA6E的Datasheet PDF文件第53页  
    NAND01G-B2B, NAND02G-B2C
    Figure 25. Page read operation AC waveforms
    DC and AC parameters
    CL
    E
    tWLWL
    W
    tWHBL
    AL
    tALLRL2
    tWHBH
    tRLRL
    (Read Cycle time)
    tEHQZ
    tRHQZ
    R
    tRLRH
    tBLBH1
    RB
    I/O
    00h
    Add.N
    cycle 1
    Add.N
    cycle 2
    Add.N
    cycle 3
    Add.N
    cycle 4
    Add.N
    cycle 5
    30h
    Data
    N
    Data
    N+1
    Data
    N+2
    Data
    Last
    Command
    Code
    Address N Input
    Busy
    Data Output
    from Address N to Last Byte or Word in Page
    ai13109b
    1. A fifth address cycle is required for 2-Gbit devices only.
    49/60

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