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    NAND02GW3B2DZA6F 参数 Datasheet PDF下载

    NAND02GW3B2DZA6F图片预览
    型号： NAND02GW3B2DZA6F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2千兆位， 2112字节/ 1056字的页面多平面架构， 1.8 V或3V时， NAND快闪存储器 [2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路
    文件页数/大小： 69 页 / 1812 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号NAND02GW3B2DZA6F的Datasheet PDF文件第56页浏览型号NAND02GW3B2DZA6F的Datasheet PDF文件第57页浏览型号NAND02GW3B2DZA6F的Datasheet PDF文件第58页浏览型号NAND02GW3B2DZA6F的Datasheet PDF文件第59页浏览型号NAND02GW3B2DZA6F的Datasheet PDF文件第61页浏览型号NAND02GW3B2DZA6F的Datasheet PDF文件第62页浏览型号NAND02GW3B2DZA6F的Datasheet PDF文件第63页浏览型号NAND02GW3B2DZA6F的Datasheet PDF文件第64页  
    DC and AC parameters  
    NAND02G-B2D  
    Figure 34. Page program AC waveform  
    CL  
    E
    tWLWL  
    tWLWL  
    tWLWL  
    (Write Cycle time)  
    W
    tWHBL  
    tWHWH  
    tWHRL  
    tBLBH2  
    (Program Busy time)  
    AL  
    R
    Add.N Add.N  
    cycle 4 cycle 5  
    Add.N  
    Add.N  
    Add.N  
    I/O  
    RB  
    80h  
    Last  
    N
    10h  
    70h  
    SR0  
    cycle 1 cycle 2  
    cycle 3  
    Confirm  
    Code  
    Page Program  
    Setup Code  
    Page  
    Program  
    Address Input  
    Data Input  
    Read Status Register  
    ai12475b  
    60/69  

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