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    M25P16-VMN6G 参数 Datasheet PDF下载

    M25P16-VMN6G图片预览
    型号： M25P16-VMN6G
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    内容描述： 16兆位串行闪存， 75 MHz的SPI总线接口 [16 Mbit, serial Flash memory, 75 MHz SPI bus interface]
    分类和应用： 闪存内存集成电路光电二极管时钟
    文件页数/大小： 55 页 / 1057 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号M25P16-VMN6G的Datasheet PDF文件第14页浏览型号M25P16-VMN6G的Datasheet PDF文件第15页浏览型号M25P16-VMN6G的Datasheet PDF文件第16页浏览型号M25P16-VMN6G的Datasheet PDF文件第17页浏览型号M25P16-VMN6G的Datasheet PDF文件第19页浏览型号M25P16-VMN6G的Datasheet PDF文件第20页浏览型号M25P16-VMN6G的Datasheet PDF文件第21页浏览型号M25P16-VMN6G的Datasheet PDF文件第22页  
    说明
    M25P16
    6
    说明
    所有指令，地址和数据被移入和移出器件，最显著位
    科幻RST 。
    串行数据输入（D ）进行采样，在串行时钟的片选后的第一个上升沿（ C）
    （S ）被拉低。然后，将1字节的指令代码必须移入到设备上，最
    显著位首先，在串行数据输入（ D）中，每个位被锁存的上升沿
    串行时钟（C） 。
    该指令集被列在
    表4 。
    每个指令序列开始的一个字节的指令代码。根据不同的
    指令，这随后可能是地址字节，或由数据字节，或由两者或无。
    在读数据字节（读） ，读数据字节以更快的速度的情况下，
    （ FAST_READ ） ，读状态寄存器（ RDSR ） ，读取识别（ RDID ）或释放
    深度掉电和阅读电子签名（ RES ）指令，移位式
    指令序列，之后是数据输出序列。芯片选择（ S） ，可驱动高
    后的数据输出序列中的任何位被移出。
    在一个页面编程（ PP ） ，扇区擦除（ SE ） ，批量擦除（ BE ）的情况下，写状态
    寄存器（ WRSR ） ，写使能（ WREN ） ，写禁止（ WRDI ）或深度掉电（ DP ）
    指令，芯片选择（ S）必须驱动为高电平正好在字节边界，否则，
    指令被拒绝，并且不被执行。也就是说，芯片选择（ S）必须驱动为高电平时，
    被驱动芯片选择（S）后的时钟脉冲的数目是低的整数倍
    8 。
    所有试图在写状态寄存器周期，程序访问存储阵列
    周期或擦除周期将被忽略，并且内部写状态寄存器周期，计划
    周期或擦除周期继续不受影响。
    注意：
    输出高阻被定义为数据输出不再驱动点。
    18/55

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