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M25P16-VMN6G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M25P16-VMN6G
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内容描述: 16兆位串行闪存, 75 MHz的SPI总线接口 [16 Mbit, serial Flash memory, 75 MHz SPI bus interface]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 55 页 / 1057 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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说明
M25P16
6.4
读状态寄存器( RDSR )
读状态寄存器( RDSR )指令允许状态寄存器进行读取。该
状态寄存器可在任何时候读取,即使在一个程序,擦除或写入状态
注册周期正在进行中。当这些周期中的一个正在进行中,则建议
发送新指令给设备前检查写在制品(WIP )位。这是
也可以连续地读出状态寄存器,如图
表6 。
b7
SRWD
0
0
BP2
BP1
BP0
WEL
状态寄存器的格式
b0
WIP
状态寄存器写保护
块保护位
写使能锁存位
写正在进行位
是状态寄存器中的状态和控制位,如下所示:
6.4.1
WIP位
写在制品(WIP )位表明内存是否忙于写状态
寄存器编程或擦除周期。当设置为“1” ,这样的循环过程中,当复位到
'0'没有这样的周期正在进行中。
6.4.2
WEL位
写使能锁存器( WEL)位表示内部写使能锁存状态。
当设定为'1'的内部写使能锁存器被置位,当置为'0'的内部写
使能锁存器复位,并没有写状态寄存器,编程或擦除指令
接受的。
6.4.3
BP2 , BP1 , BP0位
块保护( BP2 , BP1 , BP0 )位是非易失性的。它们定义了面积与大小
通过软件防止编程和擦除指令。这些位被写入
写状态寄存器( WRSR )指令。当一个或多个数据块保护的( BP2,
BP1,BP0)位被设置为' 1'时,有关的存储器区(定义
防止页面方案(PP)和扇区擦除( SE)的指令。块保护
( BP2 , BP1 , BP0 )位可设置写入硬件保护模式还没有
被设定。批量擦除( BE )指令,当且仅当所有块执行保护( BP2 ,
BP1 , BP0 )位为0 。
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