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M25P32-VMW6P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M25P32-VMW6P
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内容描述: 32兆位,低电压,串行闪存与75 MHz的SPI总线接口 [32-Mbit, low voltage, serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interface]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 53 页 / 1012 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M25P32
操作特性
4
4.1
操作特性
网页编程
以编程一个数据字节时,两条指令是必需的:写使能(WREN ),这是1
字节,并且一个页编程(PP)的序列,它由4个字节加上数据。这是
其次是内部编程周期的持续时间T (
PP
).
传播这个开销,在网页程序(PP)的指令允许多达256个字节是
在时刻(比特变化从1到0 )编程的,只要它们存在于连续
地址的存储器的同一页上。
对于优化的定时,建议使用页面编程(PP)的指令,以
程序在一个序列中的所有连续的有针对性的字节与使用多个页面
与每个仅包含几个字节的程序(PP)的序列(见
4.2
扇区擦除和整体擦除
在页编程(PP)的指令允许位从1变为0之前,这可以是
应用,需要的内存字节已经被擦除,以全1 ( FFH ) 。这可以是
在同一时间取得一个扇区,使用扇区擦除指令(SE) ,或在整个
整个内存,使用批量擦除( BE )的指令。这将启动一个内部擦除周期(中
持续时间T
SE
或T
BE
).
擦除指令前必须有一个写使能( WREN)指令。
4.3
投票在写,编程或擦除周期
在写状态寄存器( WRSR ) ,计划( PP)或擦除时间的进一步改进
( SE或BE ),可以通过不等待最坏情况下的延迟(T实现
W
, t
PP
, t
SE
或T
BE
) 。该
写在制品(WIP )位在状态寄存器提供这样的应用程序
可以监控它的价值,轮询它建立在以前的写周期,项目周期或
擦除周期完成。
4.4
快速编程/擦除模式
快速编程/擦除模式来加快编程/擦除。该装置
页面编程,扇区擦除或整体擦除过程中进入快速编程/擦除模式
指令每当等于V电压
PPH
被施加到W / V
PP
引脚。
使用快速编程/擦除模式的需要,除了特定的运行条件
到正常者(Ⅴ
CC
必须在正常操作范围内) :
施加到W / V的电压
PP
销必须等于V
PPH
(见
环境温度,T
A
必须是25℃ ± 10℃,
累计的时间在此期间, w / v
PP
是V
PPH
应不超过80个小时
4.5
有功功率,无备用电源和深度掉电模式
当片选信号(S)为低时,器件被选中,并在有源功率模式。
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