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    M25P64-VME6TP 参数 Datasheet PDF下载

    M25P64-VME6TP图片预览
    型号： M25P64-VME6TP
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64兆位，低电压，串行闪存，具有50 MHz SPI总线接口 [64 Mbit, low voltage, Serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路时钟
    文件页数/大小： 50 页 / 943 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第23页浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第24页浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第25页浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第26页浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第28页浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第29页浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第30页浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第31页  
    M25P64
    说明
    6.4.4
    SRWD位
    状态寄存器写入禁止（ SRWD ）位与写入操作相结合
    保护（W / V
    PP
    ）信号。状态寄存器写入禁止（ SRWD ）位和写保护
    （w / v
    PP
    ）信号允许该设备被放置在硬件保护模式（当状态
    寄存器写入禁止（ SRWD ）位设置为1 ，并写保护（W / V
    PP
    ）被驱动为低电平） 。在
    这种模式下，状态寄存器的非易失位（ SRWD ， BP2 ， BP1 ， BP0 ）变
    只读位和写状态寄存器（ WRSR ）指令不再接受
    执行。
    图11.读状态寄存器（ RDSR）指令序列和数据输出
    顺序
    S
    0
    C
    指令
    D
    状态寄存器输出
    高阻抗
    Q
    7
    最高位
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    7
    最高位
    AI02031E
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9 10 11 12 13 14 15
    状态寄存器输出
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    7
    27/50

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