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M25P64-VME6TP 参数 Datasheet PDF下载

M25P64-VME6TP图片预览
型号: M25P64-VME6TP
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内容描述: 64兆位,低电压,串行闪存,具有50 MHz SPI总线接口 [64 Mbit, low voltage, Serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路时钟
文件页数/大小: 50 页 / 943 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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说明
M25P64
6.5
写状态寄存器( WRSR )
写状态寄存器( WRSR)指令允许新的值写入到状态
注册。才可以被接受,一个写使能( WREN)指令必须预先
已执行。之后,写使能( WREN)指令已被解码和
执行时,该设备将写使能锁存器( WEL ) 。
写状态寄存器( WRSR )指令是由驱动芯片选择(S )低输入,
其次是指令代码和串行数据输入( D)的数据字节。
该指令序列示于
写状态寄存器( WRSR )指令对B6 , B5 ,B1和的B0无影响
状态寄存器。 B6和B5总是读为0 。
芯片选择( S)必须驱动高之后的数据字节的第八位被锁存英寸
如果不是,不执行写入状态寄存器( WRSR)指令。当片选
(S )为高,自定时写状态寄存器周期(其持续时间为t
W
)是
发起。虽然写状态寄存器周期正在进行中,状态寄存器仍可能
读来检查写在制品(WIP )位的值。写在制品(WIP )
位为1时的自定时写状态寄存器周期,并且是0时,它被完成。
当循环完成后,写使能锁存器( WEL )复位。
写状态寄存器( WRSR )指令允许用户改变的值
块保护( BP2 ,BP1,BP0 )位,以确定要被视为该区域的大小
只读,如在限定
写状态寄存器( WRSR )指令也允许
用户设置或重置状态寄存器写禁止( SRWD )位按照
写保护(W / V
PP
)信号。状态寄存器写禁止( SRWD )位和写
保护(W / V
PP
)信号允许该设备被放置在保护模式(HPM)的硬件。
写状态寄存器( WRSR )指令不被执行,一旦受保护的硬件
模式( HPM )输入。
表7中。
保护模式
模式
写保护
状态寄存器
内存内容
保护区
(1)
未受保护区
(1)
W / V
PP
SRWD
信号
1
0
1
0
0
1
状态寄存器是可写的
(如果WREN指令
软件设置WEL位)
保护
(SPM)中SRWD的值,
BP2 , BP1和BP0位
可以改变
状态寄存器
硬件硬件写保护
保护的价值在SRWD ,
( HPM ) BP2 , BP1和BP0位
不能改变
防止
网页程序,
扇区擦除和
批量擦除
准备好接受
网页程序,并
扇区擦除
说明
0
1
防止
网页程序,
扇区擦除和
批量擦除
准备好接受
网页程序,并
扇区擦除
说明
1.由于在该块中的状态寄存器的保护( BP2, BP1,BP0)位定义的值,如图中
该装置的保护功能概括在
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