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M25PE16-VMW6G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M25PE16-VMW6G
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内容描述: 16兆位,页擦除串行闪存与字节变性, 75兆赫的SPI总线,标准引脚 [16-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte-alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 58 页 / 1214 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M25PE16
操作特性
4.3
一个快速的方式来修改数据
在页编程(PP)的指令提供修改数据(高达256的一个快速的方式
在一个时间连续字节),条件是它仅包括复位位为'0'即具有
预先被设定为'1'。
这可能是:
当设计者对器件编程首次
当设计者知道该页面已被擦除了先前的页面
擦除( PE ) ,界别分组擦除( SSE) ,扇区擦除( SE )或批量擦除( BE )的指令。
这是有用的,例如,存储数据的一个快速流时,具有第一执行
擦除周期时间时可用
当设计师都知道,唯一的变化包括重新设置位0,则仍
设置为'1 ' 。当该方法是可行的,它具有最小的附加优点
的不必要的擦除操作的数量,并招致每一额外应力
页。
对于优化的定时,建议使用页面编程(PP)的指令,以
程序在一个序列中的所有连续的有针对性的字节与使用多个页面
与每个仅包含几个字节的程序(PP)的序列(见
4.4
投票在写,编程或擦除周期
在时间的进一步改进写( PW , WRSR ) ,计划( PP )或删除( SE , SSE或
BE ),可以通过不等待最坏情况下的延迟(T实现
W
, t
PW
, t
PP
, t
PE
, t
SE
, t
上证
or
t
BE
) 。在制品(WIP )位的写操作在状态寄存器中设置,使得该应用程序
程序可以监测它的值,轮询它建立在先前的周期就完成了。
4.5
RESET
内部上电复位电路,有助于防止意外的数据写入。加法
保护是通过驱动复位(复位)低在上电过程中提供,并仅
驾驶它高当V
CC
已达到正确的电压电平,V
CC
(最小值) 。
4.6
有功功率,无备用电源和深度掉电模式
当片选信号(S)为低时,器件被选中,并在有源功率模式。
当片选(S )为高电平时,装置的选择取消,但可以留在有功功率
模式,直到所有的内部时钟周期完成(编程,擦除,写入) 。然后,设备进入
到备用电源模式。该器件消耗下降至我
CC1
.
深度掉电模式时输入特定的指令(深掉电
(DP)的指令)被执行。该器件消耗进一步下降到我
CC2
。当在此
模式下,只能从深度掉电指令释放被接受。所有其他指令
将被忽略。该器件保持在深度掉电模式,直到从深发行
断电指令被执行。这可以作为一个额外的软件保护
机构,当该装置处于非活动状态的使用,以保护器件免受意外
写,编程或擦除指令。
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