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M25PE80-VMW6G 参数 Datasheet PDF下载

M25PE80-VMW6G图片预览
型号: M25PE80-VMW6G
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内容描述: 8兆位,页擦除串行闪存与字节变性, 75兆赫的SPI总线,标准引脚 [8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 66 页 / 1387 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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说明
M25PE80
6.12
页擦除( PE )
页擦除( PE )指令集,以“1” ( FFH )所选择的页面中的所有位。在此之前
可以被接受,一个写使能( WREN)指令必须先前已被执行死刑。
写使能( WREN)指令被解码时,设备将写入后
使能锁存器( WEL ) 。
页擦除(PE)的指令时,通过驱动芯片选择(S )低输入,后面是
指令代码和3字节的地址在串行数据输入( D)。里面的任何地址
页面对于页擦除( PE )指令的有效地址。芯片选择( S)必须被驱动
低的序列的整个持续时间。
该指令序列示于
芯片选择( S)必须驱动为高电平后的最后一个地址字节的第八位已
锁存,否则不执行页擦除( PE )指令。一旦芯片
选择( S)为高,自定时页擦除周期(其持续时间为t
PE
)被启动。
而页擦除周期正在进行中,状态寄存器,可以读出检查的价值
在制品(WIP )位的写操作。在制品(WIP )位写为1,在自定时
页擦除周期,并且是0时,它被完成。在周期前一段不确定的时间
完成后,写使能锁存器( WEL)位被复位。
应用于一个页面是硬件或软件保护的页擦除( PE )指令不
执行。
任何页擦除( PE )指令,而擦除,编程或写周期正在进行中,是
拒绝,而不必在周期过程中的任何影响。
如果Reset (复位)置为低,而页擦除( PE)周期正在进行中,页擦除
循环被中断,并且编程的数据可能会被破坏(见
上电复位将低电平时,器件进入复位模式,
时间t的
RHSL
设备之前,然后需要,可以重新选择由驱动芯片选择
(S )低。对于T的值
RHSL
SEE
in
图18.页擦除( PE )的指令序列
S
0
C
指令
24位地址
1
2
3
4
5
6
7
8
9
29 30 31
D
23 22
最高位
2
1
0
AI04046
1.地址位A23到A20都不在乎。
40/66