M28W640HCT ， M28W640HCB
表29 。
OFFSET
P = 35H
(1)
（P + 0） H = 35h中
（ P + 1） H = 36小时
（P + 2） H = 37h所示
（P + 3） H = 38小时
（P + 4） H = 39H
（P + 5 ）H = 3AH
（P + 6） H = 3BH
（P + 7） H =三通遥控
通用闪存接口（ CFI ）
主要的特定算法扩展查询表
数据
0050h
0052h
0049h
0031h
0030h
0066h
0000h
0000h
主要版本号， ASCII码
副版本号， ASCII码
扩展查询表内容的主要算法。地址
（P + 5 ）H含有较少的显著字节。
位0Chip擦除支持（ 1 =是， 0 =否）
位1Suspend擦除支持（ 1 =是， 0 =否）
位2Suspend程序支持（ 1 =是， 0 =否）
位3Legacy锁定/解锁支持（ 1 =是， 0 =否）
位4Queued擦除支持（ 1 =是， 0 =否）
支持位5Instant个别块锁定（ 1 =是， 0 =否）
支持的比特6Protection位（ 1 =是，0 =否）
位7页模式阅读支持（ 1 =是， 0 =否）
位8Synchronous支持读（ 1 =是， 0 =否）
第31位到9Reserved ;未定义位为“ 0 ”
支持的功能后暂停
读阵列，读状态寄存器和CFI查询总是
擦除或编程操作过程中的支持
位0Program支持擦除后挂起（ 1 =是， 0 =否）
第7位至1Reserved ;未定义位为“ 0 ”
块锁定状态
定义哪些位的块状态寄存器部分
查询的贯彻落实。
地址（P + A ）H含有较少的显著字节
位0Block锁定状态寄存器锁定/解锁位活跃（ 1 =是， 0
=否）
位1Block锁定状态寄存器锁定向下位处于活动状态（ 1 =是， 0 =
NO）
位15到2Reserved供将来使用;未定义位为“ 0 ”
V
DD
逻辑电源优化编程/擦除电压（最高
性能）
第7位在伏4HEX价值
3位在100毫伏值0BCD
初级算法扩展查询表中唯一的ASCII字符串“ PRI ”
描述
价值
‘P’
‘R’
‘I’
‘1’
‘0’
（P + 8） H =为3Dh
0000h
No
是的
是的
No
No
是的
是的
No
No
（P + 9 ）， H = 3EH
0001h
是的
（P + A ）H = 3Fh的
0003h
（P + B） H = 40H
0000h
是的
是的
（P + C） H = 41H
0030h
3V
（P + D） H = 42H
V
PP
供应最佳编程/擦除电压
00C0H第7位在伏4HEX价值
3位在100毫伏值0BCD
0001h
在JEDEC ID空间保护寄存器字段数。
"00h ， "表示256保护字节可用
12 V
（P + E） H = 43H
01
57/72
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
