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M28W640HCT70N6E 参数 Datasheet PDF下载

M28W640HCT70N6E图片预览
型号: M28W640HCT70N6E
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内容描述: 64兆位(4 MB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 [64 Mbit (4 Mb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 72 页 / 1310 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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通用闪存接口( CFI )
表29 。
OFFSET
P = 35H
(1)
(P + F) H = 44H
(P + 10 )H = 45H
(P + 11 )H = 46H
M28W640HCT , M28W640HCB
初级特定于算法的扩展查询表(续)
数据
0080h
0000h
0003h
描述
价值
(P + 12 )H = 47H
0004h
80h
保护现场1 :保护说明
本领域描述了用户可用的一次性可编程
00h
( OTP )保护寄存器的字节。一些被预编程以
8字节
设备唯一的序列号。其他的都是用户可编程的。
0-15位点的保护寄存器锁定字节,节的
科幻RST字节。
下面字节出厂时预编程和用户自
可编程的。
16字节
位0到7锁定/ JEDEC字节平面的物理地址低
位8到15Lock / JEDEC字节平面的物理地址高
位16到23 "n"使得2
n
=出厂时预编程字节
位24至31 "n"使得2
n
=用户可编程字节
版权所有
(P + 13 ), H = 48小时
1.见
偏移15 P指针的定义。
表30 。
OFFSET
80h
81h
82h
83h
84h
85h
86h
87h
88h
89h
8Ah
8Bh
8Ch
验证码区
数据
00XX
XXXX
XXXX
64位:独特的设备号
XXXX
XXXX
XXXX
XXXX
XXXX
XXXX
128位:用户可编程OTP
XXXX
XXXX
XXXX
XXXX
保护寄存器锁
描述
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