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M29W128GL 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M29W128GL
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内容描述: 128兆位( Mb的16 ×8或8MB ×16 ,页,均匀的块) 3 V电源闪存 [128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 94 页 / 1789 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M29W128GH , M29W128GL
信号说明
2
信号说明
SEE
为信号的简要概述
连接到该设备。
2.1
地址输入( A0 - A22 )
的地址输入选择单元中的存储器阵列中的过程中总线读访问
操作。在总线写操作这些控制发送到该命令的命令
接口的编程/擦除控制器。
2.2
数据输入/输出( DQ0 - DQ7 )
数据I / O输出保存在选定的地址总线读操作过程中的数据。
在总线写操作它们代表发送到命令接口的命令
内部状态机。
2.3
数据输入/输出( DQ8 - DQ14 )
数据I / O总线读操作时输出保存在选定的地址中的数据
当字节为高,V
IH
。当字节为低,V
IL
这些引脚不使用,是高
阻抗。在总线写操作的命令寄存器不使用这些位​​。
当读状态寄存器,这些位应该被忽略。
2.4
数据输入/输出或输入地址( DQ15A
1)
当设备处于×16总线模式时,该引脚表现为一个数据输入/输出管脚(如DQ8-
DQ14 ) 。当设备工作在×8总线模式下,该引脚表现为最显著
地址位。通篇考虑引用的数据输入/输出
包括该引脚,当设备工作在×16总线模式,并引用地址
输入包括该引脚,当设备工作在×8总线模式下,除了规定时
另有明确。
2.5
芯片启用( E)
该芯片使能引脚, E,激活记忆,使总线读取和总线写操作
被执行。当芯片使能为高,V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
2.6
输出使能( G)
输出使能引脚,G ,控制对存储器的总线读操作。
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