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M29W128GL 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M29W128GL
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内容描述: 128兆位( Mb的16 ×8或8MB ×16 ,页,均匀的块) 3 V电源闪存 [128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 94 页 / 1789 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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信号说明
M29W128GH , M29W128GL
2.7
写使能( W)
写使能引脚,W ,控制内存的指令的总线写操作
界面。
2.8
V
PP
/写保护(V
PP
/ WP )
在V
PP
/写保护引脚提供了两个功能。在V
PPH
功能允许存储器到
使用外部的高电压电源,以减少所需的编程时间
操作。这是通过绕过解锁周期来实现的。
写保护功能提供保护的最高或最低的硬件方法
块(参见
当V
PP
/写保护是低,V
IL
,最高或最低
块被保护。此块编程和擦除操作将被忽略,而V
PP
/ WRITE
保护为低。
当V
PP
/写保护为高,V
IH
,内存将恢复到以前的保护状态
最高或最低块。编程和擦除操作,现在可以修改数据
此块除非块用块保护保护。
当V
PP
/写保护提高到V
PPH
内存会自动进入解锁
旁路模式(见
当V
PP
/写保护提高到V
PPH
时,该命令的执行时间是低级(见
当V
PP
/写保护恢复到V
IH
或V
IL
恢复正常工作。在解锁
绕道程序操作内存吸引我
PP
从销来提供编程
电路。看到解锁绕道命令的描述,在命令界面
部分。从V的过渡
IH
到V
PPH
和V
PPH
到V
IH
必须比吨慢
VHVPP
(见
从来没有养V
PP
/写保护,以V
PPH
从不同的阅读模式中的任何模式,否则
内存可能会处于不确定的状态。 0.1μF电容应连接
在V之间
PP
/写保护引脚和V
SS
接地引脚去耦的电流浪涌
从电源。在PCB走线宽度必须足以承载的电流
在解锁绕道程序(见我要求
PP1
, I
PP2
, I
PP3
, I
PP4
in
在V
PP
/写保护引脚可以悬空,悬空,因为它拥有一个
内部上拉。
请参阅
对于V的总结
PP
/ WP功能。
表3中。
V
PP
/ WP功能
功能
最高块M29W128GH保护。
最低块M29W128GL保护。
最高和最低块不受保护,除非软件保护
激活(见
解锁旁路模式。其提供所需的加速电流
编程。
V
PP
/ WP
V
IL
V
IH
V
PPH
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