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M29W128GL 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M29W128GL
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内容描述: 128兆位( Mb的16 ×8或8MB ×16 ,页,均匀的块) 3 V电源闪存 [128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 94 页 / 1789 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M29W128GH , M29W128GL
图20.芯片/块擦除波形( 8位模式)
DC和AC参数
tAVAV
A0-A22/
A–1
555h
tAVWL
tELWL
E
tGHWL
G
tWLWH
W
tDVWH
DQ0-DQ7
AAH
55h
tWHDX
AI13335
2AAh
555h
tWLAX
555h
2AAh
555h/BAd
(1)
tWHEH
tWHWL
80h
AAH
55h
10h/
30h
1.对于芯片擦除命令,地址和数据555H和10H分别,而他们是坏的, 30小时的座
擦除命令。
2.坏块地址。
3.请参阅
关于定时的细节。
表28 。
符号
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
EHWH
t
EHEL
t
AVEL
t
ELAX
t
GHEL
写AC特点,芯片使能受控
M29W128GH , M29W128GL
Alt键。
t
WC
t
WS
t
CP
t
DS
t
DH
t
WH
t
CPH
t
AS
t
AH
参数
60
地址有效到下一个地址有效
写使能低到芯片使能低
芯片使能低到芯片使能高
输入有效到芯片使能高
芯片使能高到输入转换
芯片使能高到写使能高
芯片使能高到芯片使能低
地址有效到芯片使能低
芯片使能低到地址转换
输出使能高芯片使能低
ns
(1)
60
0
35
45
0
0
30
0
45
0
单位
70纳秒
70
0
35
45
0
0
30
0
45
0
80纳秒
80
0
35
45
0
0
30
0
45
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.只可根据客户的要求。
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