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M29W160ET70N6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W160ET70N6E图片预览
型号: M29W160ET70N6E
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内容描述: 16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 [16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 40 页 / 1035 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M29W160ET , M29W160EB
概要说明
该M29W160E是16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 )
非易失性存储器可以被读,擦除和
重新编程。这些操作可以per-
使用单一的低电压(2.7〜 3.6V ),形成
供应量。上电时,存储默认其
读取模式,其中它可以被读取以同样的方式
作为ROM或EPROM 。
所述存储器被划分成块,可以是
独立地被擦除,因此,能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
独立的保护,以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。
编程或擦除操作结束时可以
检测到任何错误情况确定。该
所需的指令集,以控制所述存储器是
符合JEDEC标准相一致。
在存储器中的块是不对称AR-
列,参见图5和图6中,块地址。
第一个或最后一个64字节被分成
另外四个区块。 16 KB的引导块
可用于小的初始化代码开始
微处理器,两个8 KB的参数
块可用于存储参数和
剩下的32K是小主座,其中AP-
褶皱可以被存储。
芯片使能,输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机,通常无需额外的逻辑。
内存提供TSOP48 ( 12× 20毫米)和
TFBGA48 ( 0.8mm间距)封装。内存
被提供有所有擦除的位(设置为' 1') 。
图2.逻辑图
表1.信号名称
A0-A19
地址输入
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出或输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
字节/字组织的选择
电源电压
在内部没有连接
VCC
DQ0-DQ7
DQ8-DQ14
20
A0-A19
W
E
G
RP
字节
M29W160ET
M29W160EB
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
DQ15A–1
E
G
W
RB
RP
RB
字节
V
CC
VSS
AI06849B
V
SS
NC
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