命令接口
M29W400DT , M29W400DB
将暂停。如果擦除挂起命令期间发出时,
内存等待一个额外的块(编程/擦除控制器开始之前),那么
擦除立即暂停,将立即启动擦除恢复时
命令被发出。它是不可能选择任何另外的块的擦除之后,以擦除
简历。
在擦除挂起,可以读取和编程细胞块不被
删除;读取和编程操作的行为对这些区块是正常的。如果有任何
试图程序在一个受保护的块或者在暂停块然后程序
命令被忽略,数据保持不变。状态寄存器不会被读取,
没有给出错误状态。从被擦除将输出状态的块读
注册。
另外,也可以发出自动选择和擦除过程中解锁绕道命令
挂起。读/复位命令必须发出归还该设备来读取阵列
Resume命令之前模式将被接受。
4.10
删除恢复命令
擦除继续命令必须使用重新启动的程序/擦除控制器
擦除挂起。擦除可以挂起和恢复不止一次。
4.11
块保护和芯片撤消命令
每个模块可以单独保护,防止意外编程或擦除。全
芯片可以是不受保护的,以允许该块内的数据被改变。
块保护和芯片撤消的操作说明
表4 。
程序,擦除时间和程序擦除周期耐力
参数
芯片擦除(在内存中的所有位设置为“0” )
芯片擦除
块擦除( 64字节)
程序(字节或字)
芯片计划(逐字节)
芯片方案(一字一句)
擦除挂起等待时间
编程/擦除周期(每块)
数据保留
100,000
20
民
典型值
(1)(2)
2.5
6
0.8
10
5.5
2.8
18
35
(3)
6
(4)
200
30
15
25
最大
(2)
单位
s
s
s
µs
s
s
µs
周期
岁月
1.典型值在室温下测量和标称电压。
2.采样,而不是100 %测试。
在最坏的情况下的温度和V测量3.最大价值
CC
100000后
编程/擦除周期。
在最坏的情况下的温度和V测量4.最大价值
CC
.
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