M29W640GH ， M29W640GL ， M29W640GT ， M29W640GB
信号说明
2.7
写使能（ W）
写使能，W ，控制内存的命令接口的总线写操作。
2.8
V
PP
/写保护（V
PP
/ WP ）
在V
PP
/写保护引脚提供了两个功能。在V
PP
功能允许存储器到
使用外部的高电压电源，以减少所需的解锁绕道的时间
编程操作。写保护进行了硬件保障：
●
●
它保护的M29W640GH和M29W640GL设备的第一个和最后一个块。
它可以保护前两个和后两个的开机M29W640GT和M29W640GB块
设备。
在V
PP
/写保护引脚可以悬空，悬空（见
当V
PP
/写保护是低，V
IL
，最外边的两个（ M29W640GH和M29W640GL ）或
4最外层的块（ M29W640GT和M29W640GB ）的保护。编程和擦除
在此块业务都将被忽略，而V
PP
/写保护是低，即使RP是在V
ID
.
当V
PP
/写保护为高，V
IH
，内存将恢复到以前的保护状态
的最外块。编程和擦除操作，现在可以修改数据
最外层的块，除非块用块保护保护。
采用12V的V
PP
/ WP引脚将暂时解除保护之前受保护的任何块
使用高压块保护技术（包括最外层块） （在 -
系统或编程技术） 。看
了解详细信息。
当V
PP
/写保护提高到V
PP
内存会自动进入解锁
旁路模式。当V
PP
/写保护恢复到V
IH
或V
IL
恢复正常工作。
在解锁绕道程序操作内存吸引我
PP
从销供给
编程电路。看到解锁绕道命令的描述在命令
接口部分。从V的过渡
IH
到V
PP
和V
PP
到V
IH
必须比要慢
t
VHVPP
见
从来没有养V
PP
/写保护，以V
PP
从不同的阅读模式中的任何模式，否则
内存可能会处于不确定的状态。
一个0.1μF电容应连接在V之间
PP
/写保护引脚和V
SS
接地引脚去耦从电源的浪涌电流。 PCB走线宽度
必须足以携带过程中解锁绕道程序所需的电流，我
PP
.
表6 。
V
PP
/ WP
硬件保护
RP
M29W640GT和
M29W640GB
V
IH
M29W640GH和
M29W640GL
M29W640GT和
M29W640GB
V
ID
M29W640GH和
M29W640GL
功能
4最外层的参数块保护
编程/擦除操作
2 ，从编程/擦除受保护的最外层块
操作
所有的块暂时未受保护的除了最外层的4
块
所有的块暂时未受保护的除了最外面的2
块
V
IL
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