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M29W640GL70NB6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W640GL70NB6E图片预览
型号: M29W640GL70NB6E
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内容描述: 64兆位(8MB X8或X16 4Mb的,页) 3V供应闪存 [64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 90 页 / 1676 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M29W640GH , M29W640GL , M29W640GT , M29W640GB
表18 。
阅读交流特性
DC和AC参数
符号
ALT
参数
测试条件
M29W640GT,
M29W640GB,
M29W640GH,
M29W640GL
60
70
70
70
30
0
70
0
30
30
30
90
90
90
30
0
90
0
30
30
30
单位
t
AVAX
t
AVQV
t
AVQV1
t
ELQX(1)
t
ELQV
t
GLQX(1)
t
GLQV
t
EHQZ(1)
t
GHQZ
t
EHQZ(1)
t
EHQX
t
GHQX
t
AXQX
t
ELBL
t
ELBH
t
BLQZ
t
BHQV
t
RC
t
地址有效到下一个地址有效
地址有效到输出有效
E = V
IL
,
G = V
IL
E = V
IL
,
G = V
IL
E = V
IL
,
G = V
IL
G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
最大
最大
最大
最大
最大
最大
60
60
25
0
60
0
25
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
页面
地址有效到输出有效(页)
t
LZ
t
CE
t
OLZ
t
OE
t
HZ
t
DF
芯片使能低到输出转换
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出转换
输出使能低到输出有效
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
t
OH
t
ELFL
t
ELFH
t
FLQZ
芯片使能,输出使能或地址
转换到输出转换
0
0
0
ns
芯片使能为字节低或高
字节低到输出高阻
最大
最大
最大
5
25
25
5
25
30
5
25
30
ns
ns
ns
t
FHQV
高字节到输出有效
1.采样只,而不是100 %测试。
49/90