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M29W640GL70NB6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W640GL70NB6E图片预览
型号: M29W640GL70NB6E
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内容描述: 64兆位(8MB X8或X16 4Mb的,页) 3V供应闪存 [64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 90 页 / 1676 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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DC和AC参数
表19 。
符号
M29W640GH , M29W640GL , M29W640GT , M29W640GB
写AC特点
ALT
参数
M29W640GT , M29W640GB ,
M29W640GH , M29W640GL
60
70
70
0
0
35
35
30
0
0
0
25
0
25
0
45
0
0
0
50
90
90
0
0
35
35
30
0
0
0
25
0
25
0
45
0
0
0
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
单位
t
AVAX
t
ELWL
t
WLEL
t
WLWH
t
ELEH
t
DVWH
t
DVEH
t
WHDX
t
EHDX
t
WHEH
t
EHWH
t
WHWL
t
WHGL1
t
EHGL1
t
EHEL1
t
AVWL
t
AVEL
t
WLAX
t
ELAX
t
GHWL
t
GHEL
t
WHRL(1)
t
EHRL
t
VCHEL
t
VCHWL
t
WC
t
CS
t
WS
t
WP
t
CP
t
DS
t
DH
t
CH
t
WH
t
WPH
t
OEH
t
CPH
t
AS
t
AH
t
GHWL
t
GHEL
t
t
VCS
地址有效到下一个地址有效
芯片使能低到写使能低
写使能低到芯片使能低
写使能低到写使能高
芯片使能低到芯片使能高
输入有效到写使能和芯片使能
写使能或芯片使能高到输入
过渡
写使能高到芯片使能高
芯片使能高到写使能高
写使能高到写使能低
输出使能保持时间
芯片使能高到芯片使能低
地址有效到写使能和芯片使能
写使能或芯片使能低到地址
过渡
输出使能高到写使能低
输出使能高到芯片使能低
编程/擦除有效到RB低
V
CC
高到芯片使能低
最大
60
0
0
35
35
30
0
0
0
25
0
25
0
45
0
0
0
50
1.采样只,而不是100 %测试。
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