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M29W800DB70ZE1E 参数 Datasheet PDF下载

M29W800DB70ZE1E图片预览
型号: M29W800DB70ZE1E
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内容描述: 8兆位( 1兆位×8或512千位×16 ,引导块) 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 52 页 / 1105 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M29W800DT , M29W800DB
图10. AC测量负载电路
VCC
VCC
DC和AC参数
25kΩ
设备
TEST
25kΩ
0.1µF
CL
CL INCLUDES夹具电容
AI04499
表10 。
符号
C
IN
C
OUT
器件电容
(1)
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
6
12
单位
pF
pF
1.采样只,而不是100 %测试。
表11 。
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3 (1)
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
ID
I
ID
V
LKO
DC特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流(读出)
电源电流(待机)
电源电流(编程/擦除)
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
识别电压
目前鉴定
编程/擦除锁定供应
电压
A9 = V
ID
1.8
I
OL
= 1.8毫安
I
OH
= –100
µ
A
V
CC
– 0.4
11.5
12.5
100
2.3
测试条件
0 V
V
IN
V
CC
0 V
V
OUT
V
CC
E = V
IL
,G = V
IH
,
F = 6兆赫
E = V
CC
± 0.2 V,
RP = V
CC
± 0.2 V
编程/擦除
控制器活跃
–0.5
0.7V
CC
最大
±1
±1
10
100
20
0.8
V
CC
+ 0.3
0.45
单位
µ
A
µ
A
mA
µ
A
mA
V
V
V
V
V
µ
A
V
1.采样只,而不是100 %测试。
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