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M29W800DB70ZE1E 参数 Datasheet PDF下载

M29W800DB70ZE1E图片预览
型号: M29W800DB70ZE1E
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内容描述: 8兆位( 1兆位×8或512千位×16 ,引导块) 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 52 页 / 1105 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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DC和AC参数
图13.写AC波形,芯片使能受控
tAVAV
A0-A18/
A–1
有效
tELAX
塔维尔
W
tWLEL
G
tGHEL
E
tELEH
M29W800DT , M29W800DB
tEHWH
tEHGL
tEHEL
tDVEH
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
有效
tEHDX
VCC
tVCHWL
RB
tEHRL
AI05450
表14 。
符号
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
EHWH
t
EHEL
t
AVEL
t
ELAX
t
GHEL
t
EHGL
t
EHRL (1)
t
VCHWL
写AC特点,芯片使能受控
M29W800D
ALT
t
WC
t
WS
t
CP
t
DS
t
DH
t
WH
t
CPH
t
AS
t
AH
参数
45纳秒
地址有效到下一个地址有效
写使能低到芯片使能低
芯片使能低到芯片使能高
输入有效到芯片使能高
芯片使能高到输入转换
芯片使能高到写使能高
芯片使能高到芯片使能低
地址有效到芯片使能低
芯片使能低到地址转换
输出使能高芯片使能低
t
OEH
t
t
VCS
芯片使能高到输出使能低
编程/擦除有效到RB低
V
CC
高到写使能低
最大
45
0
30
25
0
0
30
0
40
0
0
30
50
70纳秒
70
0
45
45
0
0
30
0
45
0
0
30
50
90纳秒
90
0
50
50
0
0
30
0
50
0
0
35
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
单位
1.采样只,而不是100 %测试。
32/52