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M29W800DT70N1T 参数 Datasheet PDF下载

M29W800DT70N1T图片预览
型号: M29W800DT70N1T
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内容描述: 8兆位( 1兆位×8或512千位×16 ,引导块) 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 52 页 / 1105 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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命令接口
表5 。
命令, 8位模式下,字节= V
IL(1)
总线写操作
命令
1st
2nd
3rd
4th
M29W800DT , M29W800DB
5th
6th
地址数据地址数据地址数据地址数据地址数据地址数据
1
读/复位
3
自动选择
节目
解锁绕道
解锁绕道
节目
解锁绕道复位
芯片擦除
块擦除
擦除挂起
删除恢复
阅读CFI查询
3
4
3
2
2
6
6+
1
1
1
AAA
AAA
AAA
AAA
X
X
AAA
AAA
X
X
AA
AA
AA
AA
AA
A0
90
AA
AA
B0
30
98
555
555
555
555
PA
X
555
555
55
55
55
55
PD
00
55
55
AAA
AAA
80
80
AAA
AAA
AA
AA
555
555
55
55
AAA
BA
10
30
X
AAA
AAA
AAA
F0
90
A0
20
PA
PD
X
F0
1 x无关, PA程序地址, PD程序数据, BA的任何地址块。
表中的所有值均为十六进制。
命令接口仅使用A-1 , A0- A10和DQ0 - DQ7的验证命令; A11 - A18 , DQ8 - DQ14和DQ15
都不在乎。 DQ15A - 1是A- 1 ;当字节为V
IL
或DQ15当字节为V
IH
.
表6 。
程序,擦除时间和程序擦除周期耐力
参数
分钟。
典型值。
(1)(2)
12
0.8
15
10
12
6
100,000
20
马克斯。
60
(3)
6
(4)
25
200
60
30
单位
s
s
µs
µs
s
s
周期
岁月
芯片擦除
块擦除( 64字节)
擦除挂起等待时间
程序(字节或字)
芯片计划(逐字节)
芯片方案(一字一句)
编程/擦除周期(每块)
数据保留
1.典型值在室温下测量和标称电压。
2.采样,而不是100 %测试。
在最坏的情况下的温度和V测量3.最大价值
CC
经过100,000编程/擦除周期。
在最坏的情况下的温度和V测量4.最大价值
CC
.
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