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M36P0R8070E0ZACF 参数 Datasheet PDF下载

M36P0R8070E0ZACF图片预览
型号: M36P0R8070E0ZACF
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内容描述: 256兆位( X16 ,多银行,多层次,突发)闪存128兆位(突发)的PSRAM , 1.8 V电源供电,多芯片封装 [256 Mbit (x16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory 128 Mbit (burst) PSRAM, 1.8 V supply, multichip package]
分类和应用: 闪存静态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 639 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M36P0R8070E0
256兆位( X16 ,多银行,多层次,突发)闪存
128兆位(突发)的PSRAM , 1.8 V电源供电,多芯片封装
特点
多芯片封装
- 1模256兆位( Mb的16 ×16 ,多
银行,多层次,突发)闪存
- 1模128兆位( Mb的8 ×16) PSRAM
电源电压
– V
DDF
= V
CCP
= V
DDQ
= 1.7〜 1.95 V
– V
PPF
= 9 V快速程序( 12 V宽容)
电子签名
- 制造商代码: 20H
- 设备代码: 8818
- ECOPACK®
同步/异步读取
- 同步突发读取模式:
108兆赫, 66兆赫
- 异步页读模式
- 随机访问: 93纳秒
编程时间
- 4 μs的典型的Word程序时使用
缓冲增强工厂计划
命令
存储器组织
- 多组内存阵列: 32兆位银行
- 四EFA (扩展闪存阵列)模块
64千位
双重运作逻辑
- 编程/擦除一个银行,而读
OTHERS
- 读写之间无延迟
操作
安全
- 64位唯一的设备数量
- 2112位用户可编程OTP细胞
每块10万编程/擦除周期
FBGA
TFBGA107 ( ZAC )
FL灰内存
块锁定
- 所有的块锁定在上电时
- 模块的任意组合可以被锁定
零延迟
- WP
F
座向下锁定
- 绝对的写保护与V
PPF
= V
SS
CFI (通用闪存接口)
访问时间: 70纳秒
异步页读
- 页面大小: 4,8或16个字
- 内页的后续读: 20纳秒
同步突发读/写
低功耗
- 工作电流: < 25毫安
- 待机电流: 200 μA
- 深度掉电电流: 10 μA
低功耗特性
- PASR (部分阵列自刷新)
- DPD (深度休眠)模式
PSRAM
2007年12月
REV 2
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