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M36W0R6050T1ZAQF 参数 Datasheet PDF下载

M36W0R6050T1ZAQF图片预览
型号: M36W0R6050T1ZAQF
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内容描述: 64兆位( 4兆】 16 ,多银行,连拍),闪存和32兆(2 MB 】 16 ) PSRAM ,多芯片封装 [64 Mbit (4 Mb 】16, Multiple Bank, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2 Mb 】16) PSRAM, multi-chip package]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 430 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M36W0R6050T1 , M36W0R6050B1
信号说明
2.12
PSRAM芯片使能(E2
P
)
当拉高(低) ,芯片使能输入E2
P
,使器件在掉电模式。
这是根据该配置寄存器设置的最低功耗模式(见
M69KB048BD数据表) 。
2.13
PSRAM输出使能(G
P
)
输出使能,G
P
提供高速三态控制,允许快速读/写
周期,以与通用I / O数据总线来实现。
2.14
PSRAM写使能(W
P
)
写使能,W
P
,控制内存的指令的总线写操作
界面。
2.15
PSRAM高字节使能( UB
P
)
高字节使能, UB
P
,门上的高字节数据输入/输出数据( DQ8-
DQ15 )或从所选择的地址的写入或读出操作过程中的上部。
2.16
PSRAM低字节使能( LB
P
)
低字节使能, LB
P
,门上的低位字节的数据输入/输出数据( DQ0-
DQ7 )或从一个写或读操作期间所选择的地址的下一部分。
2.17
V
DDF
电源电压
V
DDF
提供电源到闪存组件的内部核心。这是
主电源为所有的Flash存储器操作(读取,编程和擦除) 。
2.18
V
DDP
电源电压
在V
DDP
电源电压提供电源的所有操作(读或写)和
驱动刷新逻辑,不被访问的设备时也是如此。
2.19
V
DDQF
电源电压
V
DDQF
提供了用于在闪存存储器的I / O引脚的电源。这使得所有输出
闪存存储器核心电源,将V独立地被供电
DDF
.
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