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M36W0R6050T1ZAQF 参数 Datasheet PDF下载

M36W0R6050T1ZAQF图片预览
型号: M36W0R6050T1ZAQF
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内容描述: 64兆位( 4兆】 16 ,多银行,连拍),闪存和32兆(2 MB 】 16 ) PSRAM ,多芯片封装 [64 Mbit (4 Mb 】16, Multiple Bank, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2 Mb 】16) PSRAM, multi-chip package]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 430 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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信号说明
M36W0R6050T1 , M36W0R6050B1
2.20
V
PPF
项目电源电压
V
PPF
无论是闪存控制输入和一个闪存电源引脚。两
功能是由施加在引脚上的电压的范围内选择。
如果V
PPF
被保持在低电压范围( 0V至V
DDQF
) V
PPF
被看作是一个控制输入端。在这
区分比伏的电压下
PPLKF
给予对编程或擦除的绝对保护,
而V
PPF
& GT ; V
PP1F
启用这些功能(见M58WR064HT / B数据表的
相关的值) 。 V
PPF
只采样一个程序或擦除的开始;在一个变化
开始操作后其值不具有任何影响,编程或擦除
行动仍在继续。
如果V
PPF
为V的范围
PPHF
它作为一个电源引脚。在这种条件下V
PPF
必须是
稳定,直到编程/擦除算法完成。
2.21
V
SS
V
SS
是所有电压测量在Flash存储器中的共同点参考
(内核和I / O缓冲器)和PSRAM组件。
注意:
系统中的每个闪存器件应具有其电源电压(V
DDF
, V
DDQF
)和
程序电源电压V
PPF
去耦用一个0.1μF的陶瓷电容靠近引脚
(高频,固有的低电感电容应尽可能接近到
包) 。看
PCB走线宽度应为
足以完成所要求的V
PPF
编程和擦除电流。
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