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M45PE40-VMN6TP 参数 Datasheet PDF下载

M45PE40-VMN6TP图片预览
型号: M45PE40-VMN6TP
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内容描述: 4兆位,低电压,页面可擦除串行闪存与字节变性和50兆赫的SPI总线接口 [4 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte-alterability and a 50 MHz SPI bus interface]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 46 页 / 888 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M45PE40
说明
6
说明
所有指令,地址和数据被移入和移出器件,最显著位
科幻RST 。
串行数据输入(D )进行采样,在串行时钟的片选后的第一个上升沿( C)
(S )被拉低。然后,将1字节的指令代码必须移入到设备上,最
显著位首先,在串行数据输入( D)中,每个位被锁存的上升沿
串行时钟(C) 。
该指令集被列在
每个指令序列开始的一个字节的指令代码。根据不同的
指令,这随后可能是地址字节,或由数据字节,或由两者或无。
在读数据字节的情况下(READ ) ,以更快的速度读取数据字节( FAST_READ )
或读状态寄存器(RDSR )指令,则移位,在指令序列之后是
由数据输出序列。芯片选择( S)可以后的数据的任何位被驱动为高电平
序列被移出。
在页写( PW ) ,页编程( PP ) ,页擦除( PE ) ,扇区擦除( SE )的情况下,
写使能( WREN ) ,写禁止( WRDI ) ,深度掉电( DP)或释放
深度掉电( RDP )指令,芯片选择( S)必须驱动为高电平恰好在一个字节
边界,否则该指令被拒绝,并且不被执行。也就是说,芯片选择( S)
必须驱动为高电平时,驱动时钟脉冲的芯片选择( S)后的数字为低
八的整数倍。
所有试图在写周期,项目周期存取存储器阵列或擦除周期
被忽略,内部写周期,项目周期或擦除周期继续
不受影响。
表3中。
指令
雷恩
WRDI
RDID
RDSR
FAST_READ
PW
PP
PE
SE
DP
RDP
指令集
描述
写使能
写禁止
阅读鉴定
读状态寄存器
读取数据字节
读数据字节
更高的速度
页写
页编程
页擦除
扇区擦除
深度掉电
释放由深
掉电
单字节指令
CODE
0000 0110
0000 0100
1001 1111
0000 0101
0000 0011
0000 1011
0000 1010
0000 0010
1101 1011
1101 1000
1011 1001
1010 1011
06h
04h
9Fh
05h
03h
0Bh
0Ah
02h
胸径
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