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    M45PE40-VMN6TP 参数 Datasheet PDF下载

    M45PE40-VMN6TP图片预览
    型号： M45PE40-VMN6TP
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位，低电压，页面可擦除串行闪存与字节变性和50兆赫的SPI总线接口 [4 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte-alterability and a 50 MHz SPI bus interface]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
    文件页数/大小： 46 页 / 888 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第27页浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第28页浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第29页浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第30页浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第32页浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第33页浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第34页浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第35页  
    M45PE40
    上电和掉电
    7
    上电和掉电
    在上电和断电，设备必须不能被选择（即片选（ S）绝
    遵循适用于V的电压
    CC
    ），直到V
    CC
    达到正确的值：
    ●
    ●
    V
    CC
    （分）在上电时，然后在t的进一步延迟
    VSL
    V
    SS
    在电源关闭
    在提供一个安全配置
    第3节： SPI模式。
    为了避免上电时，上电数据损坏和意外的写操作
    复位（POR）电路被包括在内。设备内的逻辑被保持复位而V
    CC
    少
    除上电复位（ POR ）阈值电压，V
    WI
    - 所有的操作都​​禁用，
    该设备不响应任何指令。
    此外，该器件将忽略所有写使能（ WREN ） ，页写（ PW ） ，页编程
    （ PP ） ，页擦除（ PE）和扇区擦除（ SE ），直到T的时间延迟的说明
    PUW
    有
    那一刻起，后经过V
    CC
    上升的V以上
    WI
    门槛。然而，正确的
    该装置的操作，如果不能保证，这时候，V
    CC
    仍低于V
    CC
    （分钟）。没有
    写，编程或擦除指令应该被发送到后来的：
    ●
    ●
    t
    PUW
    经过V
    CC
    通过V
    WI
    门槛
    t
    VSL
    经过V
    CC
    通过V
    CC
    （分）级
    这些值在指定的
    表6 。
    如果延迟，T
    VSL
    ，经过，经过V
    CC
    上述V上升
    CC
    （分钟） ，该设备可以是
    选择读指令，即使吨
    PUW
    延迟还没有完全结束。
    作为一个额外的保护，复位（复位）信号可以驱动为低电平的整个持续时间
    上电和掉电阶段。
    上电时，该装置是在以下状态：
    ●
    ●
    ●
    该器件在备用电源模式（而不是深度掉电模式） 。
    写使能锁存器（ WEL ）位复位。
    写在制品（WIP ）位复位。
    正常的预防措施，必须采取电源轨脱钩，稳定V
    CC
    供应量。
    系统中的每个设备应具备在V
    CC
    铁路通过适当的电容接近去耦
    封装引脚。 （通常情况下，该电容是100nF的数量级） 。
    在电源关闭后，当V
    CC
    从降低工作电压，低于上电复位
    （ POR ）阈值电压，V
    WI
    ，所有的操作都被禁止，该设备没有响应
    任何指令。 （设计师需要知道，如果掉电时发生一个
    写，编程或擦除周期正在进行中，一些数据损坏的原因。 ）
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