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    M45PE40-VMN6TP 参数 Datasheet PDF下载

    M45PE40-VMN6TP图片预览
    型号： M45PE40-VMN6TP
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    内容描述： 4兆位，低电压，页面可擦除串行闪存与字节变性和50兆赫的SPI总线接口 [4 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte-alterability and a 50 MHz SPI bus interface]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
    文件页数/大小： 46 页 / 888 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第26页浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第27页浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第28页浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第29页浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第31页浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第32页浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第33页浏览型号M45PE40-VMN6TP的Datasheet PDF文件第34页  
    说明
    M45PE40
    6.12
    从深度掉电发布（ RDP ）
    一旦设备已经进入深度掉电模式下，所有的指令都将被忽略
    除了从深度掉电（ RDP ）指令的释放。执行该指令
    采用该设备进行的深度掉电模式。
    从深度掉电（ RDP ）指令的发布是通过驱动进入芯片选择（ S）
    低，其次是对串行数据输入（D）的指令码。芯片选择（S ）必须
    对于该序列的整个持续时间内驱动为低电平。
    该指令序列示于
    图17 。
    从深度掉电（ RDP ）指令的发布是通过驱动芯片选择终止
    （S ）高。在串行时钟（C ）发送额外的时钟周期，而芯片选择（ S）驱动
    低，导致该指令被拒绝，并且不执行。
    后片选（ S） - 已被驱动为高电平，接着一个延迟，叔
    RDP
    中，该设备放置在
    备用电源模式。芯片选择（ S）必须保持高电平至少要等到这个时期已经过去。该
    设备等待被选择的，使得它可以接收，解码和执行指令。
    从深度掉电（ RDP ）指令的任何版本，而擦除，编程或写
    周期正在进行中，被拒绝，而无需对循环正在进行中的任何影响。
    从深度掉电（ RDP ）的指令序列图17.发布
    S
    0
    C
    指令
    D
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    t
    RDP
    高阻抗
    Q
    深度掉电模式
    待机模式
    AI06807
    30/46

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