NAND02GW3B2CN6E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NAND02GW3B2CN6E
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内容描述：	1千兆位， 2千兆位， 2112字节/ 1056字的页面， 1.8 / 3V ， NAND快闪存储器 [1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory]
分类和应用：	闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	60 页 / 1343 K
品牌：	NUMONYX [ NUMONYX B.V ]

描述

表2中。

产品说明

NAND01G ， B2B ， NAND02G ， B2C

计时

参考

产品型号

密度

公共汽车

宽度

页面

SIZE

块

SIZE

内存

ARRAY

操作顺序随机

电压

ACCESS

时间

（最大）

（分钟）

1.7〜

1.95 V

页面X

1024

块

2.7〜

3.6 V

1.7〜

1.95 V

2.7〜

3.6 V

1.7〜

1.95 V

页面X

2048

块

2.7〜

3.6 V

1.7〜

1.95 V

2.7〜

3.6 V

25 µs

50纳秒

30纳秒

2毫秒

50纳秒

30纳秒

200 µs

NAND02GR3B2C

NAND02G

-B2C

NAND02GW3B2C

2Gbits

NAND02GR4B2C

x16

NAND02GW4B2C

1024 64K+

+32

言言

2048

+64

字节

128K

+4K

字节

25 µs

50纳秒

(1)

页面

PROGRA

M个

（典型值）

集团

抹去

（典型值）

包

NAND01GR3B2B

NAND01GW3B2B

NAND01G

-B2B

NAND01GR4B2B

x16

NAND01GW4B2B

1Gbit

2048

+64

字节

128K

+4K

字节

VFBGA63

9× 11毫米

TSOP48

1024 64K+

+32

言言

(1)

VFBGA63

9.5× 12米

TSOP48

2毫秒

(1)

25 µs

30纳秒

50纳秒

30纳秒

(1)

1.只适用于MCP x16组织。

图1 。

逻辑框图

地址

X解码器

命令

接口

逻辑

P / E / R控制器，

高压

发电机

NAND闪存

存储阵列

页面缓存

命令寄存器

缓存寄存器

Y译码

I / O缓冲器&锁存器

I / O0 -I / O7 ， X8 / X16

I / O8 -I / O15 ， X16

AI12799

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