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    NAND02GW3B2CN6E 参数 Datasheet PDF下载

    NAND02GW3B2CN6E图片预览
    型号： NAND02GW3B2CN6E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1千兆位， 2千兆位， 2112字节/ 1056字的页面， 1.8 / 3V ， NAND快闪存储器 [1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 60 页 / 1343 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号NAND02GW3B2CN6E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NAND02GW3B2CN6E的Datasheet PDF文件第9页浏览型号NAND02GW3B2CN6E的Datasheet PDF文件第10页浏览型号NAND02GW3B2CN6E的Datasheet PDF文件第11页浏览型号NAND02GW3B2CN6E的Datasheet PDF文件第13页浏览型号NAND02GW3B2CN6E的Datasheet PDF文件第14页浏览型号NAND02GW3B2CN6E的Datasheet PDF文件第15页浏览型号NAND02GW3B2CN6E的Datasheet PDF文件第16页  
    存储器阵列组织
    NAND01G ， B2B ， NAND02G ， B2C
    2
    存储器阵列组织
    存储器阵列由其中32个单元串联连接的NAND结构。
    存储器阵列为若干个区块，每个区块包含64页。该阵列是
    分成两个区域，主区和备用区。该阵列的主区域用于
    存储数据，而备用区通常用于存储错误校正代码，软件
    标志或坏块识别。
    在x8的器件页被分成2048字节的主区域和64字节的备用区。在
    在x16的器件页被分成1024个字的主区和一个32个字的备用区。
    请参阅
    图5 ：存储阵列组织。
    2.1
    坏块
    NAND闪存2112字节/ 1056字的页面设备可能包含坏块，即块
    包含一个或多个无效比特的可靠性得不到保证。更多的坏
    块可以在设备的寿命期间发展。
    坏块信息发货之前写入（参见
    第8.1节：坏块
    管理
    有关详细信息） 。
    表4 ：有效块
    示出了在每一个设备的有效块的最小数目。值
    示出包括在坏块中存在时，该设备附带的差
    块，可以制定以后。
    这些模块需要使用坏块管理，更换模块或管理
    纠错码（参照
    第8节：软件算法） 。
    表4 。
    有效块
    设备的密度
    2千兆位
    1千兆
    民
    2008
    1004
    最大
    2048
    1024
    12/60

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