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NAND04GW3B2DN6F 参数 Datasheet PDF下载

NAND04GW3B2DN6F图片预览
型号: NAND04GW3B2DN6F
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内容描述: 4千兆, 8千兆, 2112字节/ 1056字的页面多平面架构, 1.8 V和3 V , NAND闪存 [4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 69 页 / 1707 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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设备操作
NAND04G - B2D , NAND08G - BXC
6
设备操作
本节提供了设备操作的详细信息。
6.1
读取内存阵列
上电时,该设备默认为读取模式。从另一个模式进入读取模式下,所述
阅读必须发出命令(参见
6.1.1
随机读取
在发出读命令,每次,第一读取是随机读取。
6.1.2
页面读取
后的第一个随机读访问时,页面数据( 2112字节或1056字)是
在t时间传送到页面缓冲器
WHBH
(见
) 。一旦传输
完成后,就绪/忙信号变为高电平。该数据然后可以按顺序从读取(
选定的列地址到最后一列地址),通过脉冲的读使能信号。
在一个页面中的设备可以输出随机数据,而不是连续的连续数据,通过
在发出随机数据输出命令。随机数据输出命令可以用来
一顺序的数据输出期间跳过一些数据。
顺序操作可以通过改变下一个数据的列地址被收回
要输出到随后的随机数据输出命令的地址。随机
数据输出命令可以在一个页面内根据需要发出多次。
随机数据输出指令缓存中读取操作不被接受。
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