型号: | NAND04GW3B2DN6F |
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内容描述: | 4千兆, 8千兆, 2112字节/ 1056字的页面多平面架构, 1.8 V和3 V , NAND闪存 [4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories] |
分类和应用: | 闪存存储内存集成电路光电二极管 |
文件页数/大小: | 69 页 / 1707 K |
品牌: | NUMONYX [ NUMONYX B.V ] |
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