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NAND04GW3B2DN6F 参数 Datasheet PDF下载

NAND04GW3B2DN6F图片预览
型号: NAND04GW3B2DN6F
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内容描述: 4千兆, 8千兆, 2112字节/ 1056字的页面多平面架构, 1.8 V和3 V , NAND闪存 [4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 69 页 / 1707 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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设备操作
网络连接gure 8 。
随机数据输出在连续的数据输出
tBLBH1
(阅读繁忙时间)
NAND04G - B2D , NAND08G - BXC
RB
W
R
Trhwl
I / O
00h
CMD
CODE
地址
输入
30h
CMD
CODE
数据输出
05h
CMD
CODE
地址
输入
E0h
CMD
CODE
数据输出
添加5次
行添加1,2,3上校添加1,2
备用
区域
2个周期加入
COL添加1,2
备用
区域
主要区域
主要区域
ai08658b
6.2
缓存中读取
高速缓存中读取操作使用缓存读取数据提高了读取吞吐量
注册。一旦用户开始读取一个页面,该装置自动加载
下页进入缓冲寄存器。
A读页命令,如定义
先于发出
在读高速缓存顺序先读缓存的命令。一旦在页面中的数据输出
读命令终止,高速缓存中读取命令可以发出如下:
1.
2.
发出连续缓存中读取命令复制下页顺序以
缓存寄存器。
发出一个随机缓存中读取命令复制此命令中涉及的页面
到缓冲寄存器。
这两个命令都可以互换使用,以任何顺序。当没有更多的
页面读取,最后一页将被复制到缓冲寄存器通过发出退出
缓存中读取命令。读取高速缓存的命令不得的最后一页后发出
该装置读出。
SEE
对于两个序列的实例。
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