P30
2.0
功能概述
本节提供的特征和P30的功能的概述。
在P30系列到512兆位提供64兆位密度升级。这家家庭
器件提供高性能，在一个16位数据总线的低电压。个别地
可擦除存储块的大小，以获得最佳的代码和数据的存储。
在初始上电或复位时的返回，设备默认为异步页级
模式读取。配置读取配置寄存器使能同步突发
模式读取。在同步脉冲串模式下，输出数据与用户自同步
提供的时钟信号。等待信号提供了一个简单的CPU对闪存
同步。
除了增强的体系结构和接口，该设备采用
技术，使工厂的快速编程和擦除操作。专为低
电压的系统，所述
P30支持与V读操作
CC
在1.8 V ，并擦除和编程操作
V
PP
在1.8 V或9.0 V.缓冲增强工厂编程（ BEFP ）提供
速度最快的闪存阵列编程性能与V
PP
在9.0伏，这增加了工厂
吞吐量。随着V
PP
在1.8 V ， VCC和VPP可以连在一起，一个简单，超低
供电设计。除了电压灵活性，一个专用的VPP连接提供
完整的数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
A命令的用户界面（ CUI）为系统处理器和所有的接口
该装置的内部操作。内部写状态机（ WSM ）自动
执行所需的块擦除和编程的算法和时序。 A状态
寄存器表示擦除或编程完成和可能发生的任何错误。
行业标准的命令序列调用编程和擦除自动化。每
擦除操作擦除一个块。擦除挂起功能允许系统软件
暂停的擦除周期到另一个块读取或程序数据。节目暂停
允许系统软件编程暂停读取其他位置。数据
在增量字（16位）进行编程。
在P30中保护寄存器允许，可以用来给独特的闪光装置的识别
增加系统的安全性。个别块锁定功能提供零延迟块
锁定和解锁。此外， P30的设备还具有在四个预定义的位
可以被配置为一次可编程（ OTP）的主存储器阵列。
2.1
虚拟芯片使能描述
在P30 512Mbit的器件采用一种虚拟芯片使能结合两个256兆位
模具与普通芯片使能，支持四+包或CE＃ ，便于BGA和F1- CE ＃
TSOP封装。 （参考
和
地址A24
（四+软件包）或A25 （简易BGA和TSOP封装）然后被用来选择
模具对与F1 - CE ＃ / ＃ CE之间断言的根据封装选项
使用。当片使能断言和四+ A24 （容易BGA / TSOP A25 ）低（
V
IL
),
较低的模具参数选择;当芯片使能置位和四+ A24
（易BGA / TSOP A25 ）高（
V
IH
） ，使上模参数被选择。请参阅
和
有关其他详细信息。
表1：
虚拟芯片使能真值表为512 MB （ QUAD +包）
选择死
F1-CE#
L
L
A24
L
H
较低的参数模
上参数模
数据表
8
2007年11月
订单号： 306666-11
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
