恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
1.0
介绍
本文件包含有关恒忆™嵌入式闪存信息
存储器（ J3 V 。 D）设备功能，操作和规范。
恒忆™嵌入式闪存J3版D（ J3 V 。 D）提供了改进的
主流的性能，增强的安全功能，趁着
在基于NOR的英特尔* 0.13微米ETOX ™第八工艺的高品质和可靠性
技术。提供了在128兆比特（ 16M字节），64兆位和32兆位的密度，所述
恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）设备带来可靠，低电压
能力（ 3 V读取，编程和擦除）高速，低功耗工作。该
恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）装置利用了成熟的
制造经验，是理想的代码和数据应用的高
密度和低成本是必需的，如在网络，电信，数字
机顶盒，音频记录和数字成像。恒忆闪存
组件还提供了新一代的向前兼容的软件支持。通过
使用通用闪存接口（ CFI）和可扩展指令集（ SCS ） ，客户
可以利用密度的升级和未来的优化写性能
恒忆闪存设备。
1.1
命名法
阿明：
所有密度
所有密度
32兆位
AMIN = A0为X8
AMIN = A1为X16
AMAX = A21
AMAX = A22
AMAX = A23
AMAX ：
64兆位
128兆位
块：
CLEAR ：
程序：
设置：
VPEN ：
V
笔
:
一组闪光的细胞具有共同的擦除电路，并同时删除
表示逻辑零（0）
要将数据写入到闪存阵列
表示逻辑1 （1）
指的是信号或包连接名称
指的定时或电压电平
1.2
缩略语
崔：
OTP ：
PLR ：
PR ：
珠三角：
RFU ：
命令的用户界面
一次性可编程
保护锁注册
保护注册
保护寄存器数据
留作将来使用
数据表
6
2007年11月
308551-05
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
