恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
2.0
功能概述
恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）系列包括高密度
存储器，通过以下任一配置：
• 32 MB或16 Mword （ 256兆） ，组织成两个百56 128千字节
（ 131,072字节）擦除blocks-用户应该知道，这个密度不
提供在一个单片部件和器件是由2x128 - Mb的设备。
• 16 MB或8 Mword （ 128兆） ，组织为一百- 28 128
字节擦除块
• 8 MB或4 Mword （ 64兆） ，组织为64 128千字节擦除块
• 4 MB或2 Mword （ 32兆） ，组织为32 128千字节擦除块
这些设备可被访问的8位或16位的字。看
对于进一步的细节。
128位保护寄存器有多种用途，其中包括独特的flash设备
识别。
恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）装置，包括新的安全
这是不可用的的（前） 0.25微米和0.18微米的版本功能
J3系列。这些新的安全功能防止代码通过改变不同
保护方案，可以实现根据用户的要求。
恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）设备优化的架构和
接口戏剧性地支持页面模式读取提高读取性能。
这种阅读模式是理想的非时钟记忆系统。
一个通用闪存接口（ CFI ）允许用于整个软件算法
设备的家庭。这允许独立于设备的，符合JEDEC的ID无关，并
对于指定的闪光装置正向和反向兼容的软件支持
家庭。闪存厂商可以在他们现有的接口规范进行长期
兼容性。
可扩展指令集（ SCS ）允许一个单一的，简单的软件驱动程序中的所有主机系统
与所有SCS兼容快闪存储器装置工作，独立的系统级的
包装（如存储卡， SIMM ，或直接到板位置） 。另外， SCS
提供最高的系统/设备的数据传输速率和最大程度地减少设备和
系统级的实施成本。
A命令的用户界面（CUI）作为系统处理器之间的接口
并且该装置的内部操作。写到崔有效的命令序列
启动设备的自动化。内部写状态机（ WSM ）自动
执行必要的算法和定时块擦除，编程，和锁定位
配置操作。
块擦除操作擦除设备的128字节块的一个通常在一个
第二，独立于其他块。每个块可独立擦除100000
次。块擦除挂起模式允许系统软件暂停块擦除到
从任何其它块的读取或程序数据。同样，程序暂停允许系统
软件暂停编程（字节/字方案，并写入到缓冲区操作）
读取数据，或从一个没有被暂停的任何其他块执行代码。
每个器件都集成了写32个字节缓冲器（ 16个字） ，以允许最佳
编程性能。通过使用写缓冲器，数据编程在缓冲
增量。
数据表
8
2007年11月
308551-05
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
